M/A-COM Technology Solutions (MACOM) ha anunciado el nuevo modelo MAGX-100027-100C0P, un transistor de banda ancha de cuarta generación optimizado para operación de DC a 2.7 GHz con proceso GaN on Silicon (GaN on Si).
Este transistor GaN on Si HEMT D-Mode resulta ideal en comunicaciones de defensa, radio móvil terrestre, aviónica, infraestructura inalámbrica, aplicaciones ISM y radar en banda VHF / UHF / L / S.
El MAGX-100027-100C0P soporta operación CW, pulsada y lineal con niveles de potencia de salida de hasta 100 W (50 dBm). Con una operación de 50 V, este dispositivo proporciona CW con ganancia de 18.3 dB a 2.45 GHz y un 70 por ciento de eficiencia. En modo pulsado, el transistor se caracteriza por ganancia de 18.4 dB a 2.7 GHz y eficiencia de 71 por ciento.
Otras propiedades en el transistor de banda ancha de cuarta generación
Desarrollando un rendimiento que rivaliza con GaN on Silicon Carbide (GaN on SiC) con una estructura de coste proyectada por debajo de la tecnología LDMOS, GaN de cuarta generación (Gen4 GaN) rompe las barreras técnicas y comerciales en la adopción de tecnología GaN.
Gen4 GaN aporta más de un 70 por ciento de eficiencia y ganancia de 19 dB para señales moduladas a 2.7 GHz, valores similares a GaN on SiC y más de diez puntos porcentuales que LDMOS. También cuadriplica la densidad de potencia de LDMOS.
El nuevo transistor de banda ancha de cuarta generación se encuentra disponible en un encapsulado plástico estándar con bolt down flange.
**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
