Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de la EEPROM 1-Wire con resistencia gamma DS28E80 de Maxim Integrated que incluye memoria no volátil de 248 bytes con tecnología de celda de almacenamiento resistente a una radiación gamma de 75 kiloGray (kGy).
Esta EEPROM con memoria no volátil de 248 bytes se organiza en 31 bloques de 8 bytes cada uno. Estos bloques individuales se pueden proteger ante la escritura para evitar el borrado accidental de datos. Con el objetivo de dotar de seguridad adicional, cada bloque de memoria sólo se puede escribir ocho veces.
La EEPROM 1-Wire con resistencia gamma DS28E80 comunica en modo esclavo sobre el bus single-contact open-drain 1-Wire, donde el bus máster suele ser un microcontrolador. El puerto 1-Wire soporta una velocidad estándar de hasta 15.3 kbps o una velocidad máxima de 76 kbps.
Cada memoria tiene un número de registro de 64 bit exclusivo que se programa en factoría en la ROM del chip. La comunicación sigue el protocolo 1-Wire con un número de registro de 64 bit que actúa como dirección de nodo en cado de una red 1-Wire de múltiples dispositivo.
Para proteger ante errores de bit, el sistema de comunicación 1-Wire usa CRC de 16 bit generado en varios puntos durante la transmisión de datos. El ID ROM de 64 bit se puede emplear para identificar electrónicamente el DS28E80 particular en el sistema. Este ID ROM ofrece una identificación exclusiva y también funciona como dirección lógica donde múltiples dispositivos 1-Wire se encuentran en un bus común y operan de forma independiente.
Usos para la nueva EEPROM 1-Wire con resistencia gamma
Las aplicaciones de la DS28E80 incluyen identificación y monitorización de consumibles en entornos médicos, así como almacenamiento de datos e información de identificación en sistemas de seguridad.
