Toshiba Electronics Europe ha lanzado una nueva generación de arrays de transistores de alta eficiencia basados en la tecnología de doble MOSFET difuso (DMOS FET).
La nueva serie TBD62xxxA es la sucesora de la serie de arrays transistores bipolares TD62xxxA de la compañía, que han encontrado un amplio uso en aplicaciones que incluyen motores, relés y controladores LED. Las nuevas series de arrays de transistores de alta eficiencia TBD62xxxA son compatibles en función y pines con la serie TD62xxxA.
La adopción de controlador de salida tipo DMOS FET para los nuevos productos garantiza que los dispositivos satisfacen las necesidades de alta eficiencia y la reducción de la pérdida de potencia ya que los DMOS FET no requieren una corriente base. La resistencia en activo se mantiene baja y el bloqueo de salida puede aceptar altas tensiones y corrientes, con una calificación máxima absoluta de 50 V / 0,5 A.
Este enfoque permite a la serie de arrays de transistores de alta eficiencia TBD62xxxA cortar la pérdida de potencia en un 40% en comparación con la serie anterior de arrays transistores bipolares TD62xxxA (Ta = 25 °C y IOUT = 200 mA).
Toshiba ha utilizado la tecnología BICD en la creación de la nueva serie, ya que permite la integración de dispositivos bipolares, CMOS y DMOS. La serie de nueva generación consta de 24 productos que cumplen con varias tensiones estándar VIN(ON).
Otras características de la nueva serie de arrays de transistores de alta eficiencia
La serie TBD62003A dispone de mínimo 14 VIN(ON) para soportar señales de entrada PMOS de 14 a 25 V. La serie TBD62503A ofrece min. 2,5 VIN(ON) soportando la lógica transistor-transistor (TTL) y las señales de entrada CMOS de 3 V / 5 V. La serie TBD62004A ofrece min. 7,0 VIN(ON) para PMOS 6 V a 15 V y señales de entrada CMOS de 5 V.
Los dispositivos estarán disponibles en encapsulados que se adaptan a varias necesidades, incluyendo DIP. SOP / SOL para montaje en superficie y pequeña SSOP (0,65 mm de paso) para ahorrar espacio. La producción en masa para la línea completa está programada para comenzar en el segundo semestre de 2015.
