Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de recursos de ingeniería, semiconductores y componentes electrónicos, nos informa que su representada Freescale Semiconductor, ha introducido el transistor GaN de potencia RF, un dispositivo GaN con mayor rendimiento de banda ancha y de disipación térmica que incorpora con un transistor de onda continua (CW) de 125 W.
El circuito de referencia ofrece unas prestaciones de CW de 100 W sobre ancho de banda de 200 – 2500 MHz con una ganancia por encima de 12 dB. El transistor ha sido diseñado para desarrollar una eficiencia del 58 por ciento y alcanzar niveles de potencia de más de 125 W en aplicaciones de banda más estrecha.
El transistor GaN de potencia MMRF5014H aporta un rendimiento térmico de menos de 1 °C/W y proporciona una robustez VSWR de 20:1.
Este es el primer producto GaN de una nueva gama de soluciones Freescale para superar los requerimientos de tamaño y consumo (SWaP) en defensa y otros mercados.
Usos del transistor GaN de potencia
Al ampliar el ancho de banda operativo, el nuevo MMRF5014H es ideal en amplificadores de banda ancha en equipos científicos y comunicaciones militares, incluyendo jammers, radares y sistemas de guerra electrónica.
