International Rectifier presenta una plataforma tecnológica de transistores IGBTs de 1200 V (Insulated Gate Bipolar Transistor) de nueva generación. La plataforma de IGBT de octava Generación (Gen8) utiliza la tecnología Trench Gate Field Stop de última generación de IR, suministrada en encapsulados TO-247 estándar, para ofrecer las mejores prestaciones dentro de su categoría en aplicaciones industriales y de ahorro de energía.
Los nuevos IGBTs de 1200 V Gen8 de este conocido fabricante se encuentran disponibles para corrientes de 8 a 60 A con una VCE(ON) típica de 1,7 V y un tiempo de respuesta ante cortocircuitos de 10 µs para reducir la disipación de potencia, dando así como resultado un aumento de la densidad de potencia y una superior robustez.
La nueva tecnología ofrece unas características de paso a corte más suaves, ideales para aplicaciones de accionamiento de motores al minimizar dv/dt para reducir el nivel de EMI y la sobretensión, así como para aumentar la fiabilidad y la robustez. Una distribución precisa de los parámetros ofrece un excelente compartimiento de la corriente al conectar en paralelo varios IGBTs de 1200 V. La tecnología de oblea fina mejora la resistencia térmica y su máxima temperatura de unión llega a 175 °C.
La familia de IGBT Gen8 de 1200 V ofrece unos niveles de eficiencia y robustez que marcan la referencia en aplicaciones industriales.
Aplicaciones para los IGBTs de 1200 V
Con el desarrollo de esta nueva tecnología de referencia y de la más avanzada plataforma de silicio para IGBT, IR subraya sus décadas de compromiso con el avance de la tecnología de electrónica de potencia. La meta es lograr la instalación de inversores en todos los motores eléctricos para un uso más eficiente de la energía eléctrica y un entorno más ecológico, algo que es muy solicitado hoy en día por la mayoría de las empresas y usuarios finales.
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