IR amplía su catálogo de IGBT ultrarrápidos con dispositivos de 650 V para aplicaciones de soldadura, solares, motores industriales, calentamiento por inducción y SAI.
Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia que su representada International Rectifier ha ampliado su catálogo de transistores IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistors) tras la incorporación de una familia de dispositivos robustos y fiables de 650 V optimizados para aplicaciones de conmutación rápida, en donde se precisa rapidez y exactitud combinadas, incluyendo inversores solares, equipos de soldadura, motores industriales, calentamiento por inducción y sistemas de alimentación ininterrumpida.
La familia IRGP47xx de IGBT ultrarrápidos, para un rango de corrientes de 15 A a 90 A, utiliza la tecnología de oblea fina de zanja (trench) con el fin de reducir las pérdidas en conducción y en conmutación y proporcionar una mayor eficiencia al sistema.
Los nuevos IGBTs, suministrados como dispositivos discretos encapsulados junto con un diodo de recuperación suave con una baja Qrr, están optimizados para conmutación ultrarrápida (8 KHz-30 KHz), ofrecen un tiempo de respuesta en caso de cortocircuito de 6 µs y un coeficiente de temperatura de VCE(ON) positivo para facilitar su conexión en paralelo. Su mayor tensión de ruptura una fiabilidad añadida en caso de variaciones extremas de las condiciones meteorológicas y de inestabilidad de la línea de CA, además de eliminar la necesidad de dispositivos de supresión de tensión.
Utilización de los IGBT ultrarrápidos
La familia IRGP47xx está indicada para un amplio rango de frecuencias de conmutación y se caracteriza por una baja VCE(ON) de 1,7 V (típica) a 100°C y una baja energía total de conmutación (ETS) para reducir la disipación de potencia. Se ofrecen como IGBT ultrarrápidos encapsulados y otras características importantes son una temperatura máxima de unión de 175°C y una baja EMI para una mejor fiabilidad.
