Advanced Power Electronics un fabricante taiwanés de semiconductores de potencia MOS para aplicaciones de conversión de potencia de CC-CC, IGBT y circuitos integrados de potencia que permiten soluciones eficientes y rentables para aplicaciones de potencia nuevas y existentes, ha lanzado recientemente los nuevos MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento y rentables que ofrecen un rendimiento de conmutación rápido y una muy baja resistencia.
Los MOSFET de potencia de canal N de APEC proporcionan al diseñador la mejor combinación de la conmutación rápida, baja resistencia y rentabilidad.
El AP99T03GS-HF-3 se encuentra en encapsulado A-263, que es ampliamente utilizado para aplicaciones de montaje en superficie SMD comerciales e industriales y también es adecuado para aplicaciones de baja tensión tales como los convertidores de CC-CC.
Por otro lado, el AP99T03GP-HF-3 se encuentra en el paquete TO-220, que es ampliamente utilizado cuando se requiere un pequeño tamaño de PCB o un disipador térmico conectado.
Los dos nuevos MOSFET de potencia de canal N se benefician de los requisitos de un manejo simple y ofrecen un rendimiento rápido de conmutación, una muy baja resistencia de sólo 2.5 mΩ, una tensión de ruptura de fuente de drenaje de 30 V, y una corriente de drenaje continuo de 120 A. Los componentes están libres de halógenos y son totalmente compatibles con RoHS.
La amplia gama de soluciones de la compañía se dirige a la computación, la electrónica de consumo, las pantallas, las comunicaciones y los segmentos industriales.
