Los MOSFET αMOS7 de próxima generación son ideales en centros de datos hiperescala, rectificadores 5G, carga de VE e inversores solares.
Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento de la 600V αMOS7 Super Junction MOSFETs Family, diseñada para cumplir los requisitos de eficiencia y densidad de servidores, estaciones de trabajo, rectificadores de telecomunicaciones, inversores solares, cargadores de vehículos eléctricos (VE), accionamientos por motor y aplicaciones industriales.
Las fuentes de alimentación actuales requieren una eficiencia Titanium, que se traduzca en un pico de eficiencia por encima del 98,5 por ciento en las etapas PFC y LLC. Aunque los diseños Active–Bridgesy Bridgeless son fáciles de implementar, las pérdidas de conmutación y conducción, especialmente con carga ligera, todavía suponen el principal obstáculo para los diseñadores. Las tecnologías existentes, limitadas por las cargas de celda, tienen difícil cumplir tales requisitos.
Por ello, hay demanda de las tecnologías SJ de próxima generación con carga reducida y diseño robusto. También se requiere bajos valores de Qrr y Trr para aplicaciones LLC y PSFB durante situaciones de transitorios. Así pues, los MOSFET SJ de alta tensión AOS αMOS7 responden a las necesidades mencionadas.
En proyectos fotovoltaicos, los dispositivos SMD low ohmic están estableciendo nuevos estándares que contribuyen a reducir los formatos. La familia αMOS7 ofrece un amplio rango de baja Rdson en diferentes encapsulados SMD, como DFN, TOLL y refrigeración superior.
En aplicaciones low Fsw, como relés de estado sólido o puentes activos, los FET deben cumplir requisitos SOA específicos para hacer frente a sobretensiones y corrientes de entrada (in–rush). Aquí αMOS7™ asegura un coeficiente de temperatura de baja Rdson y resistencia a transitorios y estrés de corriente.
Modelos y propiedades
El primer producto αMOS7 len lanzarse es el modelo AOK050V60A7, un dispositivo de 600 V y 50 mΩ con un encapsulado TO-247 para AC/DC, DC/DC e inversores solares. Como la regulación EU ERP Lot9 sitúa la eficiencia de las fuentes de alimentación (PSU) a nivel Titanium, las unidades AOS αMOS7 de 600 V dotan de una alternativa ideal para múltiples PFC (single, interleaved, dual boost, totem–pole y Vienna) y otras topologías de conmutación dura.
La capacidad optimizada del AOK050V60A7 garantiza un excelente rendimiento de conmutación, con comportamientos de encendido/apagado rápido. A este dispositivo de 50 mΩ se le unirán modelos de 32, 40, 65 y 105 mΩ.
“La nueva estructura de balance de carga permite reducir el área activa hasta un 50 por ciento con respecto a αMOS5. Por lo tanto, αMOS7 proporciona una solución SJ de alta tensión que cumple los requisitos de eficiencia y coste del mercado”, concluye Richard Zhang, Senior Director of Product Line y Global Power Supply businesses de AOS.
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**, que encontrarás a continuación.](https://www.diarioelectronicohoy.com/imagenes/2024/11/Potenciometros-238x178.jpg "Potenciómetros rotativos PTN09SX")
